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HX1M022120D SIC MOSFET

Part NO.HX1M022120D
VDS = 1200 V
ID(Tc=25℃) =91 A
RDS(on) =22 mΩ
產(chǎn)品詳情
中瑞宏芯碳化硅MOSFET產(chǎn)品覆蓋650V-1700V電壓等級并提供從20 m?-1?等多種規(guī)格，主要封裝形式為TO247-3L、 TO247-4L及其他工業(yè)領(lǐng)域常見封裝。SiC MOSFET以其低導(dǎo)通電阻和緊湊的芯片尺寸確保了較低的電容和柵極電荷。SiC的特性消除了開關(guān)期間的拖尾電流，使得操作更迅速并減少了開關(guān)損耗。 
 
SIC MOSFET選型表
Product VR(V) PKG ID(A) @100℃ Ron(mΩ) @25℃ Vth(V)
HX1M040065D 650 TO-247-3L 40 40 2.7
HX1M040065K 650 TO-247-4L 40 40 2.7
HX1M160120D 1200 TO-247-3L 10 160 2.7
HX1M160120K 1200 TO-247-4L 10 160 2.7
HX1M080120D 1200 TO-247-3L 28 80 2.9
HX1M080120K 1200 TO-247-4L 20 80 2.7
HX1M080120J 1200 TO-263-7L 20 80 2.7
HX1M040120D 1200 TO-247-3L 40 40 2.7
HX1M040120K 1200 TO-247-4L 40 40 2.7
HX1M040120J 1200 TO-263-7L 40 40 2.7
HX1M018120D 1200 TO-247-3L 75 18 2.7
HX1M018120K 1200 TO-247-4L 75 18 2.7
HX1M022120D 1200 TO-247-3L 57 22 2.8
HX1M022120K 1200 TO-247-4L 57 22 2.8
HX1M1000170D 1700 TO-247-3L 2 1000 2.7
HX1M1000170J 1700 TO-263-7L 2 1000 2.7

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