碳化硅二極管具有開(kāi)關(guān)頻率高和正向壓降低，反向電流恢復(fù)快的優(yōu)點(diǎn)，SIC MOSFET可以應(yīng)用在很多大電流設(shè)備當(dāng)中，但碳化硅MOS管的反向擊穿電壓比較低，它的應(yīng)用范圍也被限制了。
現(xiàn)在碳化硅MOS管的快速應(yīng)用是因?yàn)橥?lèi)產(chǎn)品UFRD的反向恢復(fù)時(shí)間較慢，無(wú)法滿足高級(jí)領(lǐng)域的1MHz～3MHz的SMPS需要，而且UFRD的導(dǎo)通損耗與開(kāi)關(guān)損耗過(guò)大，需要采用低損耗的碳化硅MOS管來(lái)做替代。近幾年，SBD的技術(shù)取得了突破性的發(fā)展，使用新型材料制作的SBD性能參數(shù)更好，為新應(yīng)用注入了全新的生機(jī)與活力。
肖特基二極管有優(yōu)點(diǎn)也有缺點(diǎn)，肖特基二極管的反向偏壓較低還有反向漏電流比普通二極管大，反向偏壓額定耐壓水平最高只到 50V，而反向漏電流值為正溫度變化特性，容易因?yàn)殡S著環(huán)境溫度不斷升高而急速增加升高，在設(shè)計(jì)上要尤其注意熱失控的隱憂。
