碳化硅二極管具有開關(guān)頻率高和正向壓降低，反向電流恢復(fù)快的優(yōu)點，SIC MOSFET可以應(yīng)用在很多大電流設(shè)備當(dāng)中，但碳化硅MOS管的反向擊穿電壓比較低，它的應(yīng)用范圍也被限制了。
現(xiàn)在碳化硅MOS管的快速應(yīng)用是因為同類產(chǎn)品UFRD的反向恢復(fù)時間較慢，無法滿足高級領(lǐng)域的1MHz～3MHz的SMPS需要，而且UFRD的導(dǎo)通損耗與開關(guān)損耗過大，需要采用低損耗的碳化硅MOS管來做替代。近幾年，SBD的技術(shù)取得了突破性的發(fā)展，使用新型材料制作的SBD性能參數(shù)更好，為新應(yīng)用注入了全新的生機與活力。
肖特基二極管有優(yōu)點也有缺點，肖特基二極管的反向偏壓較低還有反向漏電流比普通二極管大，反向偏壓額定耐壓水平最高只到 50V，而反向漏電流值為正溫度變化特性，容易因為隨著環(huán)境溫度不斷升高而急速增加升高，在設(shè)計上要尤其注意熱失控的隱憂。
